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Forum "Elektrotechnik" - Dotieren von Wafern
Dotieren von Wafern < Elektrotechnik < Ingenieurwiss. < Vorhilfe
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Dotieren von Wafern: Aufgabe
Status: (Frage) beantwortet Status 
Datum: 21:13 Fr 25.01.2008
Autor: R_G

Aufgabe
Gegeben sei eine Ionenquelle, die einfach ionisierte B-Atome mit dem Strom 0,5 mA liefert. Mit dieser soll eine 100 Wafer umfassende Charge von 8-Zoll Wafern mit der flächenspezifischen Dosis [mm] \lambda [/mm] = 4 [mm] \* [/mm] 1013 cm-2 implantiert werden.
(a) Wieviel Zeit wird hierfür mindestens benötigt?
(b) Welche Dotierstoffkonzentration stellt sich im Halbleiter ein, wenn der Einfachheit halber angenommen wird, dass sich die Atome gleichfÄormig in einer Schicht der Dicke 300nm an der Oberfläche verteilen?
(c) Skizzieren Sie den prinzipiellen Aufbau eines ImplantationsgerÄats und diskutieren Sie Vor- und Nachteile des Verfahrens.

Ich habe diese Frage in keinem Forum auf anderen Internetseiten gestellt.

Ich weiß nicht wie ich anfangen soll. Mit welcher Formel muss ich beginnen : Nettorekombinationsrate (p-Typ, ohne Stoßionisation), Löcherstromdichte oder einer ganz anderen, um die Teilaufgabe (a) zu lösen?

Oder ist da einfach nur die Relaxationszeit gemeint?

Entspricht die "flächenspezifische Dosis" der Dichte der Akzeptoren (ich kenns immer nur Na/cm-³, nicht /cm-²)?

Danke im Voraus!

MfG,
[mm] R_G [/mm]

        
Bezug
Dotieren von Wafern: Antwort
Status: (Antwort) fertig Status 
Datum: 22:03 Fr 25.01.2008
Autor: leduart

Hallo ich denk das ist alles viel einfacher.
1. musst du die 0,5mA in Anzahl Ionen pro s umrechnen.
2. musst du die Gesamtoberfläche deiner 100 8Zoll wafer ausrechnen.
3. weisst du wieviel pro [mm] cm^2 [/mm] haben willst.
Damit hast du Teil a)
jetzt die dotierten B auf das Volumen Fläche*Schichtdicke verteilen. ergibt b)
Gruss leduart

Bezug
                
Bezug
Dotieren von Wafern: Frage (beantwortet)
Status: (Frage) beantwortet Status 
Datum: 00:27 Sa 26.01.2008
Autor: R_G

Hallo Leduart,

vielen Dank für deine schnelle Antwort.

Leider weiß ich nicht, wie ich aus I Ionen/s bekomm.

LG,
[mm] R_G [/mm]


Bezug
                        
Bezug
Dotieren von Wafern: Antwort
Status: (Antwort) fertig Status 
Datum: 09:14 Sa 26.01.2008
Autor: Slartibartfast

Hallo [mm] R_G, [/mm]

bei []Wiki steht, dass 1A = 6,241 509 65 (16) × [mm] 10^{18} e^{-}/s [/mm] sind.

Gruß
Slartibartfast

Bezug
                                
Bezug
Dotieren von Wafern: Mitteilung
Status: (Mitteilung) Reaktion unnötig Status 
Datum: 16:54 Sa 26.01.2008
Autor: R_G

Danke, hat mir sehr geholfen!

Bezug
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