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Hallo alle zusammen,
ich bin mir gar nicht ganz sicher ob ich hier richtig bin, da mein Problem eigentlich wenig mit Programmieren zu tun hat ...
Wir haben die Aufgabe im Fach Digitaltechnik/Microcontroller ein Referat über die verschiedenen Speicher und Speicherverfahren zu halten.
Unser Thema ist NAND-/NOR-Flash. Jetzt haben wir das Problem, dass wir alle möglichen Informationen finden über Flash-Speicher insgesamt und auch realtiv viel allgemein über NAND und NOR, aber unser Dozent hätte gerne den Ablauf, wie ganau der Speicher- oder Löschvorgang vonstatten geht als Hauptteil des Referates.
Ich finde aber weder Bilder, die mir den Aufbau oder am Aufbau den Ablauf aufzeigen noch i-welche genauen Erklärungen wie sowas Funktioniert.
Man findet nur ständig wie ein einzelner Transistor die Information aufnimmt und Speicher oder löscht.
Ich freu mich über jeden hilfreichen Link oder Buchtipp =) oder jede andere Infomöglichkeit!
Danke schonmal im voraus.
Gruß
santrine
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Hallo!
mit weiterem Material kann ich nicht dienen, aber im Prinzip ist das mit dem Transistior schon völlig richtig.
Um das ganze zu verstehen, solltest du erstmal verstehen, wie ein FET-Transistor funktioniert, und von Elektronen und Löchern gehört haben.
Ganz kurz: Source und Drain (Ein- und Ausgang) des Transistors sind stark n-dotiert. Das heißt, da sitzen Elektronen, die das Material leitfähig machen. Dazwischen ist aber ein nicht dotierter Bereich, der auch nicht leitfähig ist, daher kann kein Strom zwischen Source und Drain fließen.
Oberhalb des nicht leitenden bereichs gibt es das Gate, an das eine Spannung angelegt werden kann. Das Gate ist aber völlig isoliert gegenüber dem Rest, so daß auch da kein Strom fließt.
Aber: Wenn Spannung (positiv) anliegt, fühlen sich die Elektronen aus den n-dotierten bereichen davon angezogen, und wandern in den nicht leitenden Bereich, und wenn sie schonmal da sind, können sie sich auch zwischen Source und Drain bewegen. Das heißt, die Verbindung zwischen source und drain wird leitfähig!
Bei FLASH-Zellen gibt es neben dem Gate noch ein zweites, das aber keine Verbindung nach außen hat. Es ist rundum isoliert. Aber wenn es positiv geladen ist, hat es die gleiche wirkung wie das erste gate, die Verbindung zwischen Source und Drain wird leitfähig. Das Gate nennt man Floating Gate.
Wenn du an das normale Gate eine sehr hohe positive Spannung anlegst, können trotz der Isolierung Elektronen aus dem floating gate rüber in das gate wandern. Das floating gate wird dadurch positiv aufgeladen. Und das ist es: Diese Ladung bleibt ewig erhalten, auch, wenn die Zelle stromlos für Jahre im Schrank liegt. Holst du sie danach wieder raus, wirst du feststellen, daß die Verbindung zwischen source und drain immernoch leitfähig ist!
Das kannst du erst ändern, indem du eine hohe negative Spannung an das normale Gate anlegst. Dabei werden Elektronen in das floating-gate gepresst, und dieses wird dadurch wieder ungeladen.
(Oh, doch nicht ganz kurz...)
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(Mitteilung) Reaktion unnötig  | | Datum: | 15:17 Do 01.03.2012 | | Autor: | santrine |
Erstmal danke für die Antwort!
Aber viel geholfen hat es uns leider nicht. Mit Transistoren kommen wir recht gut zurecht (dank den "sehr spannenden" Elektronik-Stunden, die wir haben) und uns ist auch bewusst, wie die Informationen auf den einzelnen Transistoren gespeichert werden oder gelöscht werden.
Unser Dozent will eine Art Ablaufplan ... ich weiß gar nicht genau, wie ich das beschreiben soll ... einen Ablaufplan, wie die Lese-, Schreib- und Löschvorgänge vorgenommen werden. Nicht auf den einzelnen Transistor bezogen sondern auf einen gesamten NAND-Speicherbaustein und NOR-Speicherbaustein. (wenn man das so schreiben kann)
Etwas des den Read/Write-Zyklus beschreibt. Wie ein Zeitplan, was nacheinander passieren muss.
Trotzdem nochmal vielen Dank!
Gruß
Katrin
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(Mitteilung) Reaktion unnötig | | Datum: | 09:20 Fr 16.03.2012 | | Autor: | matux |
$MATUXTEXT(ueberfaellige_frage)
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